Agencia Estatal Boletín Oficial del Estado

En cumplimiento de lo dispuesto en el Real Decreto 700/1995, de 28 de abril, del Ministerio para las Administraciones Públicas, por el que se aprueba la Oferta de Empleo Público para el año 1995, publicado en el «Boletín Oficial del Estado» número 102, de 29 de abril de 1995, y con el fin de atender las necesidades de personal en la Administración Pública,

Este Ministerio, en uso de las competencias que le están atribuidas, previo informe favorable de la Dirección General de la Función Pública, según establece el apartado c) del artículo 4.º del Real Decreto 1084/1990, de 31 de agosto («Boletín Oficial del Estado» número 213, de 5 de septiembre), y acuerdo de la Junta de Gobierno del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, resuelve convocar pruebas selectivas para ingreso en la Escala de Titulados Superiores Especializados (código 5405) del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, con sujeción a las siguientes

Bases de convocatoria

1. Normas generales

1.1 Se convocan pruebas selectivas para cubrir siete plazas, de la Escala de Titulados Superiores Especializados (código 5405) del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, por el sistema general de acceso libre, a cubrir entre ciudadanos de la Unión Europea, con dominio del castellano, de acuerdo con las especialidades y con destino en centros o Institutos del Consejo Superior de Investigaciones Científicas que figuran en el anexo I.

1.2 A las presentes pruebas selectivas les serán aplicables la Ley 30/1984, de 2 de agosto, de Medidas para la Reforma de la Función Pública («Boletín Oficial del Estado» del 3); Ley 23/1988, de 28 de julio, de Modificación de la Ley de Medidas para la Reforma de la Función Pública («Boletín Oficial del Estado» del 29); el Real Decreto 364/1995, de 10 de marzo, por el que se aprueba el Reglamento General de Ingreso del Personal al Servicio de la Administración General del Estado y de Provisión de Puestos de Trabajo y Promoción Profesional de los Funcionarios Civiles de la Administración General del Estado («Boletín Oficial del Estado» de 10 de abril), y lo dispuesto en esta convocatoria.

1.3 La adjudicación de las plazas a los aspirantes aprobados se efectuará de acuerdo con la suma de la puntuación total obtenida por éstos en la fase de oposición, en cada especialidad.

No se podrá declarar superado el proceso selectivo a un número superior de aspirantes que el de plazas convocadas. Cualquier propuesta de aprobados que contravenga lo establecido será nula de pleno derecho.

1.4 El procedimiento de selección de los aspirantes constará de las siguientes fases:

Oposición.

Período de prácticas.

Los aspirantes que no superen el período de prácticas perderan todos los derechos al nombramiento como funcionarios de carrera, por Resolución motivada de la autoridad convocante.

El plazo máximo para el comienzo del período de prácticas, una vez superadas las pruebas selectivas, será de dos meses, a partir de la fecha de terminación del plazo a que se refiere la base 9.1 de esta convocatoria.

1.5 Quienes no pudieran realizar el período de prácticas por cumplimiento del Servicio Militar o Prestación Social Sustitutoria, o por causa de fuerza mayor, debidamente justificada y apreciada por la Administración, podrán efectuarlo con posterioridad.

1.6 La fase de oposición constará de los ejercicios eliminatorios, que se desarrollarán en castellano, que a continuación se indican:

1.6.1 Primer ejercicio: Consistirá en el desarrollo por escrito, en un plazo máximo de tres horas, de un tema a elegir entre tres propuestos por el Tribunal, relacionados con el programa de cada especialidad, que figura como anexo II de la presente convocatoria. Para la realización de este ejercicio no se podrá consultar documentación alguna. El ejercicio será leído por el opositor, en sesión pública, ante el Tribunal. En este ejercicio se valorarán la profundidad y amplitud de los conocimientos específicos requeridos para el ejercicio de la especialidad concreta de la plaza, así como la claridad y el orden de las ideas y su expresión escrita.

1.6.2 Segundo ejercicio: Consistirá en la realización de un supuesto práctico relacionado con la especialidad de la plaza convocada, de acuerdo con el programa que se recoge en el anexo II de la presente convocatoria. Los opositores deberán realizar por escrito un resumen del desarrollo y ejecución de la prueba realizada que se expondrá ante el Tribunal, en sesión pública. El Tribunal correspondiente a cada especialidad señalará el tiempo máximo disponible para la realización de la prueba, que no podrá superar, en ningún caso de cinco horas.

1.6.3 Tercer ejercicio: Consistirá en una entrevista, en sesión pública, del candidato con el Tribunal, que versará sobre la formación y experiencia del opositor para desempeñar las funciones propias de su especialidad, durante un máximo de media hora. 1.6.4 Cuarto ejercicio: Consistirá en la realización por escrito, durante un tiempo máximo de dos horas, de una traducción en castellano, sin diccionario, redactado en cualquiera de los idiomas oficiales de los países de la Unión Europea, a elección del aspirante, de un texto de carácter técnico relacionado con la especialidad en la que se convoca la plaza. El ejercicio deberá ser leído por el opositor, en sesión pública, ante el Tribunal. En este ejercicio se valorará el conocimiento del idioma correspondiente y, en especial, la exactitud de la determinación de los términos y expresiones técnicas relacionados con la especialidad en que se convoca la plaza.

El Tribunal proporcionará el texto del idioma elegido por el aspirante.

Para la verificación de este ejercicio, el Tribunal podrá ser asistido por los pertinentes asesores especialistas designados por él mismo.

1.6.5 Los miembros del Tribunal podrán efectuar, una vez realizada la lectura de los ejercicios, las preguntas que estimen oportunas para aclarar o incidir en algún aspecto de la exposición del candidato.

1.7 Las pruebas selectivas se desarrollarán con arreglo al siguiente calendario orientativo:

El primer ejercicio se iniciará en el mes de octubre/noviembre de 1995.

El proceso selectivo deberá haber finalizado el 20 de diciembre de 1995, salvo excepciones justificadas.

1.8 El programa que ha de regir las pruebas selectivas en cada especialidad es el que figura en el anexo II de la presente convocatoria.

1.9 Desde la total conclusión de un ejercicio o prueba hasta el comienzo del siguiente, no podrán transcurrir más de cuarenta y cinco días naturales.

2. Requisitos de los candidatos

2.1 Los aspirantes deberán reunir los siguientes requisitos:

a) Ser español o, de acuerdo con lo establecido en la Ley 17/1993, de 23 de diciembre («Boletín Oficial del Estado» del 24), sobre acceso a determinados sectores de la Función Pública de los nacionales de los demás Estados miembros de la Unión Europea, tener la nacionalidad de un país miembro de la Unión Europea o la de cualquiera de aquellos Estados a los que, en virtud de Tratados Internacionales celebrados por la Unión Europea y ratificados por España, sea de aplicación la libre circulación de trabajadores en los términos en que ésta se halla definida en el Tratado Constitutivo de la Unión Europea.

b) Tener cumplidos dieciocho años.

c) Estar en posesión del Título de Licenciado, Ingeniero o Arquitecto, o equivalente. Los estudios efectuados en centros españoles no estatales o en el extranjero deberán estar ya homologados.

d) No padecer enfermedad ni estar afectado por limitación física o psíquica que sea incompatible con el desempeño de las correspondientes funciones.

e) No haber sido separado, mediante expediente disciplinario del servicio de cualesquiera de las Administraciones Públicas ni hallarse inhabilitado para el desempeño de las correspondientes funciones.

f) Los aspirantes cuya nacionalidad no sea la española no deberán estar sometidos a sanción disciplinaria o condena penal que impida, en su Estado, el acceso a la función pública.

2.2 También podrán participar los aspirantes que tengan la condición de funcionarios de organismos internacionales, posean la nacionalidad española y la titulación exigida en la convocatoria.

Estos aspirantes estarán exentos de la realización de aquellas pruebas que la Comisión Permanente de Homologación, creada por el Real Decreto 182/1993, de 5 de febrero («Boletín Oficial del Estado» del 23), considere que tiene por objeto acreditar conocimientos ya exigidos para el desempeño de sus puestos de origen en el organismo internacional correspondiente.

En los ejercicios de los que se exima a los aspirantes que ostenten la condición de funcionarios de organismos internacionales, se otorgará la calificación mínima exigida en la convocatoria para la superación de los mismos. Los interesados podrán renunciar a tal calificación y participar en las pruebas de las que han sido eximidos en igualdad de condiciones que el resto de los aspirantes. Tal renuncia deberá llevarse a cabo con anterioridad al inicio de las pruebas selectivas.

2.3 Para ser admitido y, en su caso, tomar parte en las pruebas selectivas, bastará con que los aspirantes manifiesten en sus solicitudes de participación que reúnen todas y cada una de las condiciones exigidas en la base 2.1, referidas siempre a la fecha de expiración del plazo de presentación, y mantenerlas hasta el momento de su toma de posesión como funcionarios de carrera.

3. Solicitudes

3.1 Quienes deseen tomar parte en estas pruebas selectivas deberán hacerlo constar en instancia ajustada al modelo oficial aprobado por la Secretaría de Estado para la Administración Pública, que será facilitada gratuitamente en las Delegaciones del Gobierno en las Comunidades Autónomas y en los Gobiernos Civiles, así como en el Instituto Nacional de la Administración Pública (calle Atocha, número 106, Madrid), en la Dirección General de la Función Pública (calle María de Molina, número 50, Madrid), en el Centro de Información Administrativa del Ministerio para las Administraciones Públicas (paseo de la Habana, número 140, Madrid), en la sede central del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, (calle Serrano, número 117, Madrid), y en los locales del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, (calle Serrano, número 113, Madrid).

A la instancia se acompañará fotocopia del documento nacional de identidad o pasaporte.

Ningún aspirante podrá concurrir a más de una especialidad.

3.2 En la casilla A) del epígrafe «Datos a consignar según las bases de la convocatoria», del modelo de solicitud, se hará constar, expresamente, la especialidad a la que se concurre, con indicación del centro de destino.

3.3 La presentación de solicitudes (ejemplar número 1 «ejemplar a presentar por el interesado» del modelo de solicitud) se hará en el Registro General del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, calle Serrano, número 117, 28006 Madrid, o en la forma establecida en el artículo 38.4 de la Ley 30/1992, de 26 de noviembre, de Régimen Jurídico de las Administraciones Públicas y del Procedimiento Administrativo Común («Boletín Oficial del Estado» del 27), en el plazo de veinte días naturales, a partir del siguiente al de la publicación de esta convocatoria en el «Boletín Oficial del Estado».

Las solicitudes suscritas en el extranjero podrán cursarse en el plazo expresado en el apartado 3.3, a través de las representaciones diplomáticas o consulares españolas correspondientes, quienes las remitirán seguidamente al organismo competente. El interesado adjuntará a dicha solicitud comprobante bancario de haber satisfecho los derechos de examen.

Las solicitudes que se presenten a través de las oficinas de Correos, deberán ir en sobre abierto para ser fechadas y selladas por el funcionario de Correos antes de ser certificadas.

3.4 Los derechos de examen serán de 3.000 pesetas y se ingresarán en la cuenta corriente número 30-55405-G «Pruebas selectivas de acceso a la Escala de Titulados Superiores Especializados del Consejo Superior de Investigaciones Científicas», en cualquier oficina del grupo del Banco Exterior de España.

Junto a la solicitud deberá acompañarse resguardo acreditativo del pago de los derechos. En el supuesto de que el ingreso se haya realizado en una oficina del Banco Exterior, deberá figurar en la solicitud el sello de esa entidad que justifique el referido pago. La falta de una justificación del abono de los derechos de examen determinará la exclusión del aspirante.

En ningún caso, la presentación y pago en el Banco supondrá la sustitución del trámite de presentación, en tiempo y forma, de la solicitud ante el órgano expresado en la base 3.3.

3.5 Las solicitudes dirigidas al excelentísimo señor Presidente del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, deberán acompañarse de un currículum vitae.

3.6 Los aspirantes con minusvalías deberán indicarlo en la solicitud, para lo cual se utilizará el recuadro número 7 de la misma. Asimismo, deberán solicitar, expresándolo en el recuadro número 9, las posibles adaptaciones de tiempos y medios para la realización de los ejercicios en que esta adaptación sea necesaria.

3.7 Los errores de hecho que pudieran advertirse podrán subsanarse en cualquier momento, de oficio o a petición del interesado.

4. Admisión de aspirantes

4.1 Expirado el plazo de presentación de instancias, la Presidencia del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, dictará Resolución, en el plazo máximo de un mes, que se publicará en el «Boletín Oficial del Estado», declarando aprobada la lista de aspirantes admitidos y excluidos, con indicación, en este último caso, de las causas de exclusión. En la lista deberá constar, en todo caso, los apellidos, nombre y número del documento nacional de identidad o pasaporte.

Además, se determinará el lugar y la fecha de comienzo de los ejercicios.

4.2 Los aspirantes excluidos dispondrán de un plazo de diez días hábiles, contados a partir del siguiente al de la publicación de la Resolución, para subsanar el defecto que haya motivado su exclusión.

Contra dicha Resolución podrá interponerse, previa comunicación al órgano que la dicte, recurso contencioso-administrativo de acuerdo con lo previsto en la Ley 30/1992, de 26 de noviembre, de Régimen Jurídico de las Administraciones Públicas y del Procedimiento Administrativo Común («Boletín Oficial del Estado» del 27), en el plazo de dos meses, contados a partir del siguiente a su publicación, ante el órgano competente del Orden Jurisdiccional Contencioso-Administrativo.

En todo caso, al objeto de evitar errores y, en el supuesto de producirse, posibilitar su subsanación en tiempo y forma, los aspirantes comprobarán no sólo que no figuran recogidos en la relación de excluidos, sino además, que sus nombres constan en la pertinente lista certificada completa de admitidos y excluidos, que se expondrá al público en los tablones de anuncios de la sede central del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, calle Serrano, número 117, Madrid, en los locales del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, calle Serrano, número 113, Madrid, en los centros e institutos del organismo, en la Dirección General de la Función Pública, en el Centro de Información Administrativa del Ministerio para las Administraciones Públicas, en las Delegaciones del Gobierno en las Comunidades Autónomas y en los Gobiernos Civiles.

4.3 Los derechos de examen serán reintegrados a los aspirantes que hayan sido excluidos definitivamente de la realización de las pruebas selectivas.

5. Tribunales

5.1 Los Tribunales calificadores de estas pruebas selectivas estarán constitutidos en la forma que se determinan en el anexo III de esta convocatoria.

5.2 Los miembros de los Tribunales deberán abstenerse de intervenir, notificándolo al Presidente del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, cuando concurran en ellos circunstancias de las previstas en el artículo 28 de la Ley 30/1992, de 26 de noviembre, de Régimen Jurídico de las Administraciones Públicas y del Procedimiento Administrativo Común («Boletín Oficial del Estado» del 27), o si hubiesen realizado tareas de preparación de aspirantes a pruebas selectivas en los cinco años anteriores a la publicación de esta convocatoria.

Los Presidentes podrán solicitar de los miembros del Tribunal, declaración expresa de no hallarse incursos en las circunstancias previstas en el artículo 28 de la Ley 30/1992, de 26 de noviembre, de Régimen Jurídico de las Administraciones Públicas y del Procedimiento Administrativo Común («Boletín Oficial del Estado» del 27).

Asimismo, los aspirantes podrán recusar a los miembros del Tribunal cuando concurran las circunstancias previstas en el artículo 29 de la Ley 30/1992, de 26 de noviembre, de Régimen Jurídico de las Administraciones Públicas y del Procedimiento Administrativo Común («Boletín Oficial del Estado» del 27).

5.3 Con anterioridad a la iniciación del proceso selectivo, la autoridad convocante hará público el nombramiento de los nuevos miembros de los Tribunales que hayan de sustituir a los que hayan perdido su condición por alguna de las causas anteriores.

5.4 Previa convocatoria del Presidente, se constituirá el Tribunal, con la asistencia del Presidente y Secretario, y la mitad, al menos, de sus miembros, titulares o suplentes. Celebrarán su sesión de constitución, al menos, diez días antes de la realización del primer ejercicio.

En dicha sesión, los Tribunales acordarán todas las decisiones que les correspondan en orden al correcto desarrollo de las pruebas selectivas.

5.5 A partir de su constitución, el Tribunal, para actuar válidamente, requerirá la presencia del Presidente y Secretario o, en su caso, de quienes los sustituyan, y la de la mitad, al menos, de sus miembros, titulares o suplentes.

5.6 Durante el proceso selectivo, los Tribunales resolverán todas las dudas que pudieran surgir en la aplicación de estas normas, así como lo que se deba hacer en los casos no previstos.

El procedimiento de actuación del Tribunal se ajustará, en todo momento, a lo dispuesto en la Ley 30/1992, de 26 de noviembre, de Régimen Jurídico de las Administraciones Públicas y del Procedimiento Administrativo Común («Boletín Oficial del Estado» del 27).

5.7 El Tribunal calificador adoptará las medidas de forma que los aspirantes con minusvalías gocen de similares condiciones para la realización de los ejercicios que el resto de los participantes. En este sentido, se establecerán para las personas con minusvalías que lo soliciten, en la forma prevista en la base 3.6, las adaptaciones en tiempos y medios para su realización.

A tal efecto, el Tribunal podrá requerir informe y, en su caso, colaboración de los órganos técnicos de la Administración Laboral, Sanitaria o de los órganos competentes del Ministerio de Asuntos Sociales.

5.8 A efectos de comunicaciones y demás incidencias, los Tribunales tendrán su sede en los locales del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, calle Serrano, número 113, 28006 Madrid, teléfonos (91) 585 52 65/52 64/52 63.

5.9 Los Tribunales que actúen en estas pruebas selectivas, tendrán la categoría primera de las recogidas en el anexo IV del Real Decreto 236/1988, de 4 de marzo («Boletín Oficial del Estado» del 19). Una vez conocido el número de aspirantes por el Presidente del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, se establecerá el número máximo de sesiones a realizar por cada uno de los Tribunales.

6. Desarrollo de los ejercicios

6.1 El orden de actuación de los opositores se iniciará alfabéticamente por el primero de la letra «O», de conformidad con lo establecido en Resolución de 16 de mayo de 1995, de la Secretaría de Estado para la Administración Pública («Boletín Oficial del Estado» número 119, del 19), por la que se publica el resultado del sorteo celebrado el día 11 de mayo de 1995 en el Instituto Nacional de Administración Pública.

En el supuesto de que no exista ningún aspirante cuyo primer apellido comience por la letra «O», el orden de actuación se iniciará por aquellos cuyo primer apellido comience por la letra «P», y así sucesivamente.

6.2 En cualquier momento los aspirantes podrán ser requeridos por miembros del Tribunal, con la finalidad de acreditar su identidad.

6.3 Los aspirantes serán convocados para cada ejercicio, en único llamamiento, siendo excluidos de las pruebas selectivas quienes no comparezcan, salvo en los casos de fuerza mayor, debidamente justificados y libremente apreciados por el Tribunal.

La publicación de los sucesivos anuncios de celebración del segundo, tercer y cuarto ejercicio se efectuará por los Tribunales, al menos, en los locales donde se haya celebrado el primero, con veinticuatro horas, al menos, de antelación a la señalada para la iniciación del mismo. Cuando se trate del mismo ejercicio, el anuncio será publicado en los locales donde se haya celebrado y por cualquier otro medio, si se juzga conveniente, con doce horas, al menos, de antelación.

6.4 En cualquier momento del proceso selectivo, la autoridad convocante, por sí o a propuesta del Presidente del Tribunal, si tuvieran conocimiento de que alguno de los aspirantes no posee la totalidad de los requisitos exigidos por la presente convocatoria, previa audiencia del interesado, deberá proponer su exclusión a los órganos competentes, poniendo en su conocimiento las inexactitudes o falsedades en que hubieran podido incurrir los aspirantes en su solicitud de admisión a las pruebas selectivas, a los efectos procedentes.

Contra la exclusión del aspirante podrá interponerse recurso contencioso-administrativo, en el plazo de dos meses, contados a partir del día siguiente a su comunicación, ante el órgano competente del Orden Jurisdiccional del contencioso-administrativo, de acuerdo con lo establecido en la Ley 30/1992, de 26 de noviembre, de Régimen Jurídico de las Administraciones Públicas y del Procedimiento Administrativo Común («Boletín Oficial del Estado» del 27).

7. Calificación de los ejercicios

7.1 Todos los ejercicios de estas pruebas selectivas se calificarán de cero a veinte puntos. El valor medio de las puntuaciones computadas constituirá la calificación del ejercicio, siendo necesario alcanzar diez puntos, como mínimo, para pasar al ejercicio siguiente, y en el cuarto, para superarlo.

Al calcular el valor medio de las puntuaciones en cada uno de los ejercicios, se excluirá del cómputo de puntuaciones la más alta y la más baja, sin que en ningún caso pueda ser excluida más de una máxima y una mínima.

En el tercer ejercicio se hará constar la calificación de «apto» o «no apto», siendo necesario obtener la calificación de «apto» para pasar al ejercicio siguiente.

7.2 En los cuatro ejercicios, la calificación se hará al término de cada ejercicio, publicándose la relación de quienes los hubieran superado y sus puntuaciones.

7.3 La calificación final de las pruebas vendrá determinada por la suma de las puntuaciones obtenidas en cada uno de los ejercicios.

En el supuesto de producirse empates al confeccionar las listas de aspirantes aprobados, aquéllos se dirimirán a favor del que hubiese obtenido mayor puntuación en los distintos ejercicios de la oposición, de forma sucesiva o alternativa, excepto en el referente a la entrevista, por su calificación de «apto» o «no apto».

8. Lista de aprobados

8.1 Finalizadas las pruebas selectivas, los Tribunales harán públicas, en el lugar o lugares de celebración del último ejercicio, así como en la sede del Tribunal, y en aquellos otros que estime oportuno, la relación de aprobados en cada especialidad, por orden de puntuación alcanzada, con indicación de su número de documento nacional de identidad o pasaporte.

Los Presidentes de los Tribunales enviarán una copia certificada de la relación de aprobados al Presidente del Consejo Superior de Investigaciones Científicas.

Dicha relación se publicará en el «Boletín Oficial del Estado».

9. Presentación de documentos y nombramientos de funcionarios en prácticas.

9.1 En el plazo de veinte días naturales, a contar desde el día siguiente a aquel en que se publicaron las relaciones de aprobados en el «Boletín Oficial del Estado», los aspirantes aprobados deberán presentar en los locales del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, calle Serrano, número 113, 28006 Madrid, los siguientes documentos:

a) Fotocopia compulsada del título exigido o certificación académica que acredite su posesión.

b) Declaración jurada o promesa de no haber sido separado, mediante expediente disciplinario, del servicio de ninguna Administración Pública, ni hallarse inhabilitado para el ejercicio de funciones públicas, según el modelo que figura como anexo IV a esta convocatoria.

c) Los aspirantes de otra nacionalidad deberán presentar fotocopia compulsada del documento que acredite su nacionalidad, así como documentación certificada por las autoridades competentes de su país de origen, en la que se acredite no estar sometidos a sanción disciplinaria o condena penal que impida, en su Estado, el acceso a la función pública.

9.2 Quienes tuvieran la condición de funcionarios públicos estarán exentos de justificar las condiciones y demás requisitos ya probados para obtener su anterior nombramiento, debiendo presentar certificación del Ministerio u organismo del que dependan, acreditando su condición, y demás circunstancias que consten en su expediente personal.

Asimismo, deberán formular opción por la percepción de la remuneración que deseen percibir durante su condición de funcionarios en prácticas, igualmente, el personal laboral, de conformidad con lo previsto en el Real Decreto 456/1986, de 10 de febrero («Boletín Oficial del Estado» de 6 de marzo).

9.3 Quienes dentro del plazo indicado y salvo los casos de fuerza mayor no presentasen la documentación, o del examen de la misma se dedujese que carecen de alguno de los requisitos exigidos, no podrán ser nombrados, quedando anuladas sus actuaciones, sin perjuicio de la responsabilidad en que pudieran haber incurrido por falsedad en la solicitud de participación.

9.4 Los candidatos propuestos serán nombrados funcionarios en prácticas por el Ministerio de Educación y Ciencia, en la que se determinará la fecha en que empezarán a surtir efecto dichos nombramientos, con especificación del destino adjudicado.

Los nombramientos serán publicados en el «Boletín Oficial del Estado».

La toma de posesión de los candidatos nombrados funcionarios en prácticas, se efectuará en el plazo de un mes, desde la fecha de publicación de su nombramiento en el «Boletín Oficial del Estado».

10. Período de prácticas. Nombramientos de funcionarios

de carrera

10.1 Durante el período de prácticas, los aspirantes ejercerán las tareas correspondientes a puestos de trabajo de su especialidad, bajo la supervisión de los responsables de los departamentos correspondientes. El período de prácticas tendrá una duración de tres meses, y al final del mismo, el responsable del departamento a que hubiera sido adscrito el funcionario en prácticas, emitirá un informe, con el visto bueno del Director del centro, en el que hará constar la calificación de «apto» o «no apto» del aspirante, siendo necesario obtener la calificación de «apto» para superarlo.

10.2 Concluido el proceso selectivo, quienes lo hubieran superado serán nombrados funcionarios de carrera, por el Ministerio de Educación y Ciencia, con especificación del destino adjudicado.

Los nombramientos serán publicados en el «Boletín Oficial del Estado».

La toma de posesión de los candidatos nombrados funcionarios de carrera se efectuará en el plazo de un mes, desde la fecha de publicación de su nombramiento en el «Boletín Oficial del Estado».

11. Norma final

La presente convocatoria y cuantos actos administrativos se deriven de ella y de la actuación del Tribunal, podrán ser impugnados, en los casos y en la forma establecidos por la Ley 30/1992, de 26 de noviembre, de Régimen Jurídico de las Administraciones Públicas y del Procedimiento Administrativo Común («Boletín Oficial del Estado» del 27).

Asimismo, la Administración podrá, en su caso, proceder a la revisión de las Resoluciones de los Tribunales, conforme a lo previsto en la mencionada Ley.

Lo que se hace público para general conocimiento.

Madrid, 29 de junio de 1995.-P. D. (Orden de 2 de marzo de 1988, «Boletín Oficial del Estado» del 4), el Presidente del Consejo Superior de Investigaciones Científicas, José María Mato de la Paz.

ANEXO I

Número de plazas / Denominación / Destino / Número de Tribunal

1 / Sistema de cálculo científico / Instituto de Física Corpuscular. Valencia / 1

1 / Procesos de implantación iónica y PVD para tecnologías microelectrónicas de silicio / Instituto de Microelectrónica. Barcelona / 2

1 / Tecnología de microfabricación en sala blanca de dispositivos micro y optoelectrónicos / Instituto de Microelectrónica. Madrid / 3

1 / Desarrollo de sistemas de control, adquisición y tratamiento de datos en astrofísica / Instituto Astrofísica de Andalucía. Granada / 4

1 / Técnicas de caracterización superficial de sólidos policristalinos / Instituto de Ciencia de Materiales de Sevilla / 5

1 / Análisis químico por vía humeda e instrumental / Centro Nacional de Investigaciones Metalúrgicas (Madrid) / 6

1 / Transferencia de tecnología: Valoración y explotación de resultados de investigación / Organización Central (Subdirección General de Programación, Seguimiento y Documentación Científica). Madrid / 7

ANEXO II

PROGRAMA

Sistemas de cálculo científico

1. Evolución de las máquinas de cálculo.

2. Componentes del ordenador secuencial.

3. Algebra binaria y puertas lógicas.

4. Operaciones aritméticas elementales con circuitos lógicos.

5. Sistemas de numeración. Binario. Octal. Hexadecimal. Decimal. BCD. 6. Sistemas de codificación. EBCDIC. ASCII. Codificación en coma flotante.

7. La unidad de control de procesos. Procesadores comerciales más importantes.

8. El juego de instrucciones del procesador.

9. Lenguaje(s) ensamblador(es).

10. Evolución y criterios de valoración de los lenguajes de programación.

11. Traductores e intérpretes. Etapas de la traducción. Preproceso. Compilación. Linkedición. Carga.

12. Gramáticas formales. Etapas de la compilación.

13. Vinculación. Memoria estática. Memoria dinámica. Memoria «heap».

14. Datos y estructuras de datos elementales.

15. Estructuras complejas. Estructuras definidas por el usuario.

16. Control de secuencia en expresiones. Proposiciones compuestas.

17. Control de secuencia entre proposiciones. Estructuras de control.

18. Control de subprogramas.

19. Lenguaje de programación (I). FORTRAN.

20. Lenguajes de programación (II). Basic. Pascal. C.

21. Lenguajes de programación (III). Programación concurrente. Programación en tiempo real.

22. Ingenieria del «software».

23. Evaluación del «software».

24. Sistemas operativos (I). Gestión de la memoria.

25. Sistemas operativos (II). Planificación de trabajos. Gestión de E/S.

26. Sistemas operativos (III). MS/DOS. VM. UNIX.

27. El modelo de capas ISO. Interfase RS-232. Interfases IEEE 488.

28. Transmisión síncrona y asíncrona. Parámetros de la comunicación asíncrona.

29. Protocolos de comunicación. Internet.

30. Sistemas de adquisición de datos: VME, CAMAC Y FASTBUS.

31. Arquitectura de ordenadores. La unidad central de proceso, definición de procesos, memoria central y unidad aritmética y lógica. Generaciones de ordenadores.

32. Ordenadores vectoriales y paralelos. Arquitecturas.

33. La quinta generación de ordenadores. Inteligencia artificial. Sistemas expertos.

34. Estructura física de un centro de proceso de datos.

35. Organización funcional de un centro de cálculo científico. Soporte de usuarios.

36. Bases de datos. Tipos.

37. Creación, mantenimiento y manipulación de ficheros. Conversión. Impresión. Recuperación. Copias de seguridad.

38. Portabilidad de soporte lógico. Importancia de los estándares.

39. Sistemas físicos de teleinformática. Transmisión de datos. Métodos de modulación de señales. Modos de transmisión. Parámetros físicos de las líneas. Concentradores y «multiplecsores». Equipos terminales.

40. Estructura física y lógica de una estación de análisis gráfico.

41. Descripción y clasificación de periféricos-gráficos.

42. Modems.

43. Niveles de acoplamiento entre procesadores: Redes, «clusters» y multiprocesadores.

44. Redes científicas.

45. Análisis númerico. Elementos fundamentales.

46. Algebra de matrices. Cálculo númerico de matrices.

47. Recuperación de desastres.

48. Tratamiento de datos.

49. Resolución numérica de ecuaciones lineales.

50. Método de simulación Monte-Carlo.

Procesos de implantación iónica y PVD para tecnologías microelectrónica de silicio

1. Elementos de la instalación de un equipo de implantación iónica.

2. Operación de un equipo de implantación iónica de media corriente.

3. Tipos de equipos de implantación iónica.

4. Condiciones de seguridad en un implantador iónico.

5. Mantenimiento preventivo de un equipo de implantación iónica.

6. Frenado nuclear y frenado electrónico de los iones en los sólidos.

7. Dañado y amorfización producidos por implantación iónica.

8. Recocido y activación de los átomos implantados.

9. Medida de distribuciones de dopantes eléctricamente activos.

10. Caracterización físico-química del proceso de implantación iónica.

11. Problemas de contaminación en un implantador iónico.

12. Fuentes de iones.

13. Optica del haz de iones (separación, aceleración, focalización y barrido).

14. La cámara del blanco en un implantador iónico.

15. Gestión térmica en cámaras de blanco de implantadores.

16. Implantación del pozo e implantación de campo en tecnologías CMOS.

17. Implantación de ajuste de la tensión umbral en tecnologías MOS.

18. Implantación de fuente y drenador en tecnologías MOS. Uniones poco profundas.

19. Implantación iónica en tecnología bipolar.

20. Aplicaciones de la implantación iónica a la fabricación de dispositivos de potencia.

21. Aplicaciones de la implantación iónica a la fabricación de dispositivos sensores.

22. Aplicaciones de la implantación iónica de alta dosis. Síntesis de compuestos. Tecnología SIMOX.

23. Comportamiento de fotorresinas bajo implantación iónica.

24. Implantación iónica de alta energía. Aplicaciones.

25. Problemas de la implantación iónica en tecnologías VLSI.

26. La simulación del proceso de implantación iónica.

27. Tendencias futuras en el campo de la implantación iónica.

28. Elementos de la instalación de un equipo PVD.

29. Operación de un equipo de PVD tipo magnetrón.

30. Evaporación térmica. Evaporación por haz de electrones.

31. Pulverización catódica diodo, triodo y magnetrón.

32. Bombas de vacío primarias. Principio, instalación y mantenimiento.

33. Bombas de alto vacío. Principio, instalación y mantenimiento.

34. Medidores de vacío. Principio, instalación y mantenimiento.

35. Mantenimiento preventivo de un equipo de metalización.

36. Técnicas de diagnóstico y control «in situ» de capas depositadas por PVD.

37. Consideraciones térmicas del sustrato durante la deposición PVD.

38. Descargas en gases ionizados.

39. Cinética de crecimiento de películas delgadas.

40. Técnicas de caracterización de capas depositadas por PVD.

41. Electromigración.

42. Reacciones interficiales y barreras de difusión.

43. Fiabilidad de capas depositadas por PVD.

44. Reglas de escalado y nuevos requisitos para la metalización.

45. Contacto metal-semiconductor.

46. Metalización de puerta en transistores MOS.

47. Metalización multinivel. Materiales y técnicas de planarización.

48. Técnicas de obtención de los siliciuros metálicos.

49. Aplicaciones de los siliciuros de metales refractarios en VLSI.

50. Tendencias futuras en el campo de la metalización.

Tecnología de microfabricación en sala blanca de dispositivos micro y optoelectrónicos

1. Sala blanca: características y especificaciones.

2. Principales procesos de fabricación microelectrónica en Sala blanca.

3. Equipos de procesos para tecnología y sus instalaciones complementarias.

4. Control de calidad de procesos de microfabricación.

5. Producción de agua desionizada: ósmosis inversa y resinas intercambiadoras.

6. Distribución de gases ultrapuros: manorreductores y válvulas.

7. Detección de fugas de gases en equipos microelectrónicos.

8. Diferentes sistemas de vacío en sala blanca.

9. Conservación y mantenimiento de equipos en sala blanca.

10. Técnicas de limpieza y preparación de sustratos en procesos microelectrónicos.

11. Procesos de metalización en vacío para semiconductores.

12. Procesos de metalización en ultra alto vacío mediante cañón de electrones.

13. Contactos óhmicos tipo p y tipo n.

14. Recocidos de contactos en atmósfera inerte.

15. Fabricación y evaluación de contactos óhmicos en semiconductores III-V.

16. Microlitografía: tipos de resinas fotosensibles.

17. Microlitografía: sistemas de alineamiento de máscaras.

18. Microlitografía: exposición y revelado de resinas fotosensibles.

19. Procesos secuenciales en fotolitografía.

20. Sistemas de preparación de capas dieléctricas: CVD y PECVD.

21. Control del espesor de capas depositadas.

22. Técnicas de pulido y adelgazamiento de sustratos.

23. Separación de dispositivos: corte y clivado de muestras.

24. Formación de contactos eléctricos: microsoldadura metálica.

25. Ataque por vía humeda de GaAs.

26. Ataque por vía seca de semiconductores III-V.

27. Ataques selectivos por vía húmeda.

28. Ataques por haces de iones reactivos.

29. Ventajas de la técnica de resonancia ciclotrónica de electrones en el ataque seco.

30. Ataque de materiales dieléctricos mediante láser pulsado.

31. Determinación de perfiles de dopado mediante medidas capacidad-voltaje con barrera electrolítica.

32. Fabricación de sensores de gases con tecnología microelectrónica.

33. Sensores ópticos por absorción en el infrarrojo próximo.

34. Investigación y desarrollo de sensores químicos para la determinación de concentración de gases.

35. Tecnología asociada a la fabricación de diodos láser y otros dispositivos microelectrónicos (LED, FET, etc.) con tecnología III-V.

36. Montaje de dispositivos: Diodos Schottky y diodos láser.

37. Sensores ópticos no-invasivos: aplicaciones biomédicas.

38. Biosensores ópticos.

39. Inmunosensores de campo evanescente.

40. Mecanismo físico de funcionamiento de sensores de gases basados en diodos Schottky.

41. Influencia del metal catalítico en la respuesta de sensores químicos de gases.

42. Efecto del espesor y la microestructura de la metalización en el funcionamiento de sensores de gases de tipo catalítico.

43. Efecto de la temperatura y el gas portador en el funcionamiento de sensores de gases.

44. Efecto de membranas poliméricas en la respuesta de sensores basados en diodos Schottky.

45. Técnicas de inmovilización de macromoléculas biológicas sobre semiconductores.

46. Deposición de biomateriales por ablación láser.

47. Fabricación de biosensores microelectrónicos de urea.

48. Desarrollo de transductores para su aplicación en biosensores.

49. Comparación de diferentes tecnologías para la fabricación de biosensores.

50. Seguridad e higiene en sala blanca.

Desarrollo de sistemas de control, adquisición y tratamiento de datos en astrofísica

1. Telescopios ópticos. Sistemas ópticos.

2. Telescopios ópticos. Sistemas mecánicos y movimientos.

3. Observatorios astronómicos. Condiciones ambientales. Configuración general e infraestructura.

4. Observatorios astrofísicos en el espacio.

5. Modelos de telescopio.

6. Seguimiento y guiado. Sistemas de autoguiado.

7. Adaptadores de plano focal. Búsqueda de campo.

8. Infraestructura informática en un observatorio astronómico.

9. Proceso de obtención de datos de un telescopio.

10. Sistemas de almacenamiento masivo de datos.

11. Sistemas de control remoto.

12. Cámaras CCD en Astrofísica.

13. Espectrógrafos en Astrofísica Optica.

14. Control de instrumentación Astronómica.

15. Sistemas de control en tiempo real.

16. Sistemas modulares microprocesados de control. Coordinación de subsistemas.

17. Tratamiento de datos astrofísicos: fotometría fotoeléctrica.

18. Tratamiento de datos astrofísicos: imágenes.

19. Tratamiento de datos astrofísicos: espectros.

20. Tratamiento de datos astrofísicos: modelos teóricos.

21. «Software» de tratamiento de datos astrofísicos.

22. Codificación de imágenes. Formatos de uso en Astrofísica.

23. Microprocesadores. Arquitectura RISC. Arquitectura CISC.

24. Sistemas de cálculo intensivo. Procesadores vectoriales. Procesadores paralelos. Multiproceso simétrico.

25. Periféricos: discos, cintas, impresoras, etc.

26. Redes de área local. Cableado. Ethernet, FDDI, 100BaseT.

27. Redes de área extensa. Routing. HDLC, ATM, Frame Relay.

28. Elementos activos de red. Hubs. Conmutadores. Concentradores. Bridges. Routers.

29. Gestión de redes.

30. Protocolo TCP/IP.

31. Protocolos de red local: Decnet, LAT, IPX, Appletalk.

32. Interfases gráficas. Gestión de un entorno heterogéneo de tratamiento y visualización de datos gráficos.

33. Infraestructura de una sala de ordenadores.

34. Gestión de una gran instalación informática.

35. Seguridad en una instalación informática.

36. Sistema operativo Unix.

37. Sistema operativo VMS.

38. Entornos abiertos de «software».

39. Gestión de un archivo histórico de datos masivos.

40. Internet. Gestión de un nodo Internet.

41. Internet. Servicios. Utilidades.

42. Internet. Gestión de servidores de información. Ftp. WWW. Correo electrónico.

43. Sistemas operativos Novell, MS-DOS, Mac-OS.

44. Metodologías de desarrollo de «software».

45. Control de calidad de «software».

46. Programación orientada a objetos.

47. Lenguaje de programación C.

48. Lenguaje de programación C++.

49. Lenguaje de programación Fortran.

50. Sistemas CASE.

Técnicas de caracterización superficial de sólidos policristalinos

1. Adsorción física. Caracterización textural de superfices de sólidos.

2. Adsorción química. Fundamentos y energética de la adsorción.

3. Isotermas de adsorción.

4. Cinética de los procesos de adsorción.

5. Desorción térmica programada.

6. Relación estructura-reactividad en superficie de sólidos.

7. Técnicas de reacción a temperatura programada en superficies de sólidos.

8. Estructura electrónica de superficies de sólidos semiconductores.

9. Caracterización de centros ácido-base en superficie de sólidos.

10. Medidas cinéticas en catálisis heterogénea.

11. Determinación del punto cero de carga.

12. Métodos de detección en procesos de adsorción y en cinética de reacciones en catálisis heterogénea.

13. Métodos de preparación de catalizadores.

14. Infrarrojo y Raman por transformada de Fourier.

15. Transmisión y reflexión en espectroscopía IR: análisis del espectro de reflectancia. Transformación Kramer-kröning.

16. Dispersión de la radiación IR en sólidos finamente divididos: Función de Schuster-Kubelkka-Munk.

17. Aplicación de la técnica DRIFTS en química de superficie y catálisis.

18. Aplicación de la espectroscopía Raman al estudio de superficies y adsorbatos.

19. Modos vibracionales en sólidos. Simetría de sitio y grupo factor.

20. Espectroscopía FTIR/Raman en sólidos. Modos moleculares y de red.

21. Análisis de forma en sólidos micro/nano-cristalinos mediante los modos de red.

22. Espectroscopías IR/Raman en el estudio de centros Brönsted y Lewis superficiales.

23. Espectroscopías IR/Raman en el estudio de superficies metálicas.

24. Moléculas sonda en el estudio de superficies por espectroscopías FTIR/Raman.

25. Espectros ópticos (UV-vis) de reflectancia difusa.

26. La espectroscopía de fotoelectrones de rayos X (XPS) y espectroscopía Auger (AES). Aspectos instrumentales.

27. La espectroscopía de fotoelectrones de rayos X. Determinación de la estructura electrónica y estados químicos.

28. La espectroscopía de fotoelectrones de rayos X: fundamentos y cuantificación.

29. La espectroscopía Auger: fundamentos y cuantificación.

30. Aplicación de la espectroscopía de fotoelectrones de rayos X a la caracterización superficial de sólidos policristalinos.

31. Perfiles de composición en profundidad. Aplicación a la caracterización de sólidos policristalinos.

32. Métodos de caracterización superficial de sólidos basados en haces de iones.

33. Resoluciones lateral y en profundidad de las espectroscopías electrónicas.

34. Tratamiento de datos en la espectroscopía de fotoelectrones de rayos X.

35. Cuantificación de espectros de fotoemisión en muestras policristalinas.

36. La radiación sincrotón: caracterización y fuentes.

37. Interacción de la radiación con la materia condensada (rayos-X).

38. Espectroscopía de absorción de rayos X: aspectos instrumentales, líneas y métodos de detección.

39. Espectroscopía de absorción de rayos X: XANES.

40. Espectroscopía de absorción de rayos X: EXAFS.

41. Análisis de datos en espectroscopía EXAFS.

42. Las espectroscopías de absorción de rayos X en catálisis: fundamentos y métodos.

43. La espectroscopía EXAFS superficial (SEXAFS).

44. Espectroscopía de absorción de rayos X de baja energía (0- 1000 eV): principios y aspectos instrumentales.

45. Aplicaciones de las espectroscopías de absorción de rayos X a la caracterización de sólidos policristalinos y amorfos.

46. La radiación sincrotón y la espectroscopía de fotoelectrones: fotoemisión.

47. Dicroísmo con rayos X blandos.

48. Sistemas operativos y lenguajes de programación en aplicaciones científico-técnicas.

49. Conexión entre ordenador y accesorios. Aplicación al instrumental científico.

50. Uso compartido de recursos informáticos en laboratorios de instrumentación científica.

Análisis químico por vía húmeda e instrumental

1. Conceptos fundamentales de análisis químico.

2. Evaluación de datos analíticos.

3. Métodos gravimétricos de análisis.

4. Solubilidad de los precipitados.

5. Introducción a los métodos volumétricos de análisis.

6. Valoraciones de precipitación.

7. Teoría de las valoraciones de neutralización.

8. Aplicaciones de las valoraciones de neutralización.

9. Valoraciones de formación de complejos.

10. Teoría de las valoraciones de óxido-reducción.

11. Aplicaciones de las valoraciones de oxidación-reducción.

12. Métodos electroanalíticos.

13. Separaciones analíticas.

14. Productos químicos, aparatos y operaciones básicas en química analítica.

15. Teoría de la espectroscopía de absorción.

16. Espectrofotometría: ultravioleta, visible e infrarrojo cercano.

17. Técnica espectrofotoclorimétrica.

18. Espectrofotometría de absorción atómica.

19. Técnica de llama en absorción atómica.

20. Técnica electrotérmica en absorción atómica.

21. Teoría de fluorescencia de rayos X.

22. Técnica de fluorescencia de rayos X por dispersión de energías.

23. Técnica de fluorescencia de rayos X por dispersión de longitudes de onda.

24. Espectrometría de emisión óptica.

25. Técnica de determinación de carbono y azufre con horno de inducción y detección por absorción en el infrarrojo.

26. Determinación de oxígeno y nitrógeno con horno de combustión y detección: oxígeno por absorción en el infrarrojo y nitrógeno por conductividad térmica.

27. Espectrofotocolorimetría de aleaciones base hierro-aceros.

28. Espectrofotocolorimetría de aleaciones base hierro-fundiciones.

29. Espectrofotocolorimetría de cobre y sus aleacciones.

30. Espectrofotocolorimetría de plomo y sus aleaciones.

31. Espectrofotocolorimetría de aluminio y sus aleaciones.

32. Espectrofotocolorimetría de estaño y sus aleaciones.

33. Espectrofotometría de absorción atómica de aleaciones base hierro-aceros.

34. Espectrofotometría de absorción atómica de aleaciones base hierro-fundiciones.

35. Espectrofotometría de absorción atómica de escorias.

36. Espectrofotometría de absorción atómica de minerales.

37. Espectrofotometría de absorción atómica de refractarios.

38. Espectrofotometría de absorción atómica de cobre y sus aleaciones.

39. Espectrofotometría de absorción atómica de zinc y sus aleaciones.

40. Espectrofotometría de absorción atómica de aluminio y sus aleaciones.

41. Espectrofotometría de absorción atómica de plomo y sus aleaciones.

42. Análisis químico de ferroaleaciones.

43. Análisis químico de superaleaciones base cobalto.

44. Análisis químico de superaleaciones base níquel.

45. Análisis químico de superaleaciones base hierro.

46. Análisis químico de titanio y sus aleaciones.

47. Preparación de muestras para espectrofotocolorimetría.

48. Preparación de muestras para espectrofotometría de absorción atómica.

49. Preparación de muestras para fluorescencia de rayos X.

50. Preparación de muestras mediante un horno de microondas.

Transferencia de tecnología: Valoración y explotación de resultados de investigación

1. La política científica y tecnológica en España: La Ley de Fomento y Coordinación de la Investigación Científica y Técnica.

2. El Sistema de Ciencia-Tecnología-Industria en España: elementos institucionales

3. El Plan Nacional de I + D: mecanismos de transferencia de tecnología.

4. Actividades de I + D del Ministerio de Industria y Energía.

5. El Centro para el Desarrollo Tecnológico Industrial: Mecanismos de promoción y gestión de la tecnología.

6. La política científica y tecnológica de las Comunidades Autónomas.

7. Relaciones entre las empresas y los centros públicos de investigación. Modalidades.

8. Valoración técnico-económica de los resultados de I + D.

9. La I + D y la política tecnológica en España en el sector de la electrónica e informática.

10. La I + D y la política tecnológica en España en el sector químico.

11. La I + D y la política tecnológica en España en el sector de biotecnología.

12. La I + D y la política tecnológica en España en el sector farmaceútico.

13. La I + D y la política tecnológica en España en el sector de materiales.

14. La I + D y la política tecnológica en España en el sector transformador.

15. La I + D y la política tecnológica en España en el sector de bienes de equipo.

16. La I + D y la política tecnológica en España en el sector agrícola.

17. La I + D y la política tecnológica en España en el sector alimentario.

18. La I + D y la política tecnológica en España en el sector recursos naturales y medio ambiente.

19. La I + D y la política tecnológica en España en el

sector de la salud.

20. La I + D y la política tecnológica en España en el sector de automatización.

21. La I + D y la política tecnológica en España en el sector de acuicultura.

22. La I + D y la política tecnológica en España en el sector ganadero.

23. La I + D y la política tecnológica en España en el sector forestal.

24. Estructura de proyectos de I + D entre empresas y CPI.

25. Las asociaciones de investigación y los centros tecnológicos.

26. La gestión de la innovación en las empresas.

27. La financiación de proyectos de I + D.

28. Metodología de seguimiento de proyectos de I + D.

29. Los programas comunitarios relacionados con la transferencia y difusión de tecnología.

30. El Programa Eureka.

31. Tipología de proyectos de I + D empresariales.

32. Evaluación y selección de proyectos de I + D.

33. Características de una empresa para abordar proyectos de I + D.

34. Plan de Infraestructura Tecnológica.

35. Regiones objetivo 1: medidas de apoyo a la I + D.

36. Las actividades de I + D y las pequeñas y medianas empresas.

37. Plan de marketing tecnológico.

38. Empresas receptoras de tecnología.

39. Estructura de la I + D en la empresa.

40. El papel de las acciones especiales como elemento de transferencia de tecnología.

41. Proyectos de demostración.

42. Participación en proyectos comunitarios de I + D: medidas de apoyo.

43. Análisis y difusión de la oferta tecnológica en los organismos públicos de investigación.

44. La cooperación internacional no comunitaria.

45. Las nuevas tecnologías. Repercusiones sobre sectores industriales.

46. Financiación de la innovación.

47. Acuerdos bilaterales y apoyo a las actividades de I + D.

48. Proyectos cooperativos.

49. Proyectos integrados.

50. Proyectos concertados.

(ANEXO III OMITIDO)

ANEXO IV

Don , con domicilio en , y con documento nacional de identidad número

Declara bajo juramento, o promete, a efectos de ser nombrado funcionario de carrera de la Escala de que no sido separado del servicio de ninguna de las Administraciones Públicas y que no se halla inhabilitado para el ejercicio de las funciones públicas.

En a de de 1995.